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www.85058.com:科技部重点研发计划“战略性先进电

发布时间:2019-12-13 06:52编辑:产品评测浏览(132)

    为积极有序推进“战略性先进电子材料”重点专项“大失配、强极化第三代半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律”项目的组织实施工作,2017年9月22-23日专项项目年度总结会暨学术研讨会在青岛顺利召开。本次年度会议是由科技部高技术研究发展中心指导,项目和课题牵头单位北京大学和南京大学共同主持,共十四家支持单位协办召开,并与第八届亚太宽禁带半导体国际会议实现无缝连接,有力促进了项目组成员和宽禁带半导体研究领域亚太顶尖科学家之间交流与合作。

    2018年10月18日上午,由北京大学作为牵头单位,联合清华大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、北京邮电大学、西安电子科技大学、广东省半导体产业技术研究院、华中科技大学、中国科学院上海技术物理研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、湖南大学、厦门大学、中国科学院半导体研究所、北京科技大学、合肥彩虹蓝光科技有限公司等14家单位共同承担的国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究”项目启动会,在北京西郊宾馆会议中心举行。

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    此次会议共有16家单位的51位代表参加,项目负责人北京大学王新强教授主持会议。专家组由龚旗煌院士、张荣教授、吴玲研究员、陈弘达研究员、廖新胜研究员、张国义教授、李晋闽研究员、罗毅教授,杨辉研究员,康俊勇教授,徐现刚教授,徐科研究员和沈波教授等专家学者组成。北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室学术委员会主任龚旗煌院士致欢迎辞。科技部高技术中心史冬梅处长发表讲话。

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    本次会议分为项目/课题年度进展汇报和学术交流报告两部分。课题负责人王新强教授、黎大兵研究员、刘斌教授、孙钱研究员和张进成教授分别汇报了项目和各个课题的年度进展和下一年度研究计划。项目组青年学术骨干许福军、汪莱、张源涛、杨学林和张涛分别汇报了在项目支持下取得的最新研究成果。

    启动会现场

    与会专家对项目年度进展予以充分肯定,尤其对在人才培养方面取得的成绩给予高度赞赏(本年度,项目组新增教育部长江特聘教授和青年学者各一名、国家基金委杰出青年基金获得者一名),并希望项目组加快研究步伐,拓展研究深度,提高国际影响,进一步加强人才培养。科技部高技术中心材料处项目主管杨斌介绍了国家重点研发计划的项目经费管理的相关规定,并用“成果可喜、运行有序、预期有望、再接再厉”十六个字精炼地评价和展望了该项目。

    科技部高技术研究发展中心材料处处长史冬梅、“战略性先进电子材料”专项主管杨斌代表项目管理部门出席并指导项目启动的相关工作。出席项目启动会的专家包括南京大学郑有炓院士、北京大学甘子钊院士、基金委信息学部主任西安电子科技大学郝跃院士、基金委信息学部综合处潘庆处长、香港科技大学葛惟昆教授、苏州纳米所徐科研究员、全球能源互联网研究院邱宇峰教授、半导体所陈弘达研究员、李晋闽研究员、南京大学施毅教授、物理所韩秀峰研究员、北京大学沈波教授和王新强教授等。北京大学科研部副部长韦宇也应邀出席了启动会。

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    北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心唐宁副教授作为项目负责人介绍了项目总体情况以及项目的实施方案。项目各课题负责人清华大学郝智彪教授、苏州纳米所边历峰研究员和唐宁分别汇报了所负责课题的概况、实施方案及近期研究进展。

    (固态照明与节能电子学协同创新中心 科学技术处)

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